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寬應用優秀MOS：CMD060N10

>>CMD060N10詳情頁

CMD060N10是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供優秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應用，開關控制，電機控制、LED控制等多種應用。

CMD060N10的主要電氣特性包括： 

耐壓：CMD060N10的耐壓（BVDSS）為100V。

電流：在Tc=25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是80A。

雪崩能量：CMD060N10采用先進的SGT技術，單次雪崩能量EAS為612mJ。

低熱阻：CMD060N10采用TO-252封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為1.5℃/W。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMD060N10的導通電阻（RDS(on)）最大只有7mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，能提高整體電路的能效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。

CMD060N10優秀的性能，使其可以非常好的應用于多種電路，包括不限于DC-DC電源、電源切換應用，開關控制，電機控制、LED控制等多種應用。

通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優秀特性集成到CMD060N10中，使其在電路應用中表現出色。